檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "Thin film".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="周賢鎧"
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本論文研究主要分為兩大部分，第一部份以Ni-YSZ碟型基材作為陽極支撐(anode-supported)，第二部份以YSZ碟型基材作為電解質支撐(electrolyte -supported)，利用…
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本論文研製以具有C軸（002）擇優取向的氧化鋅為壓電材料及以多孔性二氧化矽做為基材取代現今氣隙型的薄膜體聲波振盪器，其結構分別為上電極／氧化鋅壓電薄膜／下電極／多孔性基材。多孔性基材以球磨、混粉…
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中文摘要 本論文研究在氧化鋁基材上利用網印法塗佈高溫銀膠，經高溫燒結後作為電極，接著以真空磁控濺鍍法於其上成長鈷薄膜，再於不同氣氛下以加熱板直接加熱使其表面產生微奈米結構氧化鈷，以提高其比表面積，製…
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本研究已成長高品質氮化銦(InN)薄膜在氮化鎵(001)的基板上，利用高解離性的氮源(HN3)來當化學束磊晶技術來成長薄膜。成長薄膜特性分析儀器使用：高解析度場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、高…
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本論文使用磁控式濺鍍沉積氧化鈰(CeO2)及摻雜釓與銀[(Gd2O3)x-(CeO2)1-x、Ag- CeO2]之氧化鈰固態薄膜電解質在氧化鋁基材上，後藉由熱處理後再濺鍍白金電極製備成電阻式氧氣感測…
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本研究目的在開發高阻值(≧3 kΩ)以及低TCR值(±25 ppm/℃)之薄膜電阻元件。實驗材料系統可分為氮化鉭(TaN)、共濺鍍氮化鉭與銅複合膜(TaN/Cu)以及氮化氧鈦(TiNO)，三種材料系…
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本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜，並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層，之後再沉積出TaN薄膜當作上電極，製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
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本研究利用反應式濺鍍沉積摻鈷類鑽碳(Co-DLC) 薄膜，並將Co-DLC薄膜在350℃進行大氣退火30-90分鐘，得到Co、CoO、Co3O4和DLC組成之CoOx-DLC薄膜，藉由SEM、RAM…
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本研究使用微波電漿化學氣相沉積系統(Microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)在CH4/Ar/N2氣體混合下合成氮摻雜的超奈米晶鑽石…